TSM80N1R2CH C5G
/MOSFET Power MOSFET, N-CHAN 800V, 5.5A, 1200mOhm
TSM80N1R2CH C5G的规格信息
制造商:Taiwan Semiconductor
产品种类:MOSFET
RoHS:是
技术:Si
安装风格:Through Hole
封装 / 箱体:TO-251-3
通道数量:1 Channel
晶体管极性:N-Channel
Vds-漏源极击穿电压:800 V
Id-连续漏极电流:5.5 A
Rds On-漏源导通电阻:900 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压:2 V
Vgs - 栅极-源极电压:10 V
Qg-栅极电荷:19.4 nC
最小工作温度:- 55 C
最大工作温度:+ 150 C
Pd-功率耗散:110 W
配置:Single
通道模式:Enhancement
封装:Tube
产品:Rectifiers
晶体管类型:1 N-Channel
商标:Taiwan Semiconductor
下降时间:10 ns
产品类型:MOSFET
上升时间:11 ns
工厂包装数量:3750
子类别:MOSFETs
典型关闭延迟时间:55 ns
典型接通延迟时间:22 ns
TSM80N1R2CH C5G
TSM80N1R2CH C5G的全球分销商及价格
销售商 | 型号 | 制造商 | 功能描述 | 价格 |
 Digi-Key 得捷电子 | TSM80N1R2CH C5G | Taiwan Semiconductor Corporation | MOSFET N-CH 800V 5.5A TO251 | $5.17000 |
 Mouser 贸泽电子 | TSM80N1R2CH C5G | Taiwan Semiconductor | MOSFET Power MOSFET, N-CHAN 800V, 5.5A, 1200mOhm | 15,000:¥5.5144
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